A kép csak illusztráció, kérem tekintse meg a termék pontos műszaki leírását.

IRFPE 40 PBF | VISHAY IR

Tranzisztor MOSFET N-csat. 5,4A/800V TO247
Rakt. szám: 5742
Min.rendelés: 1 db
Többszörös: 1 db (1, 2, 3 ... db)
Termékbesorolás: Unipoláris teljesítmény tranzisztorok
Árufajta: Megrendelésre
Gyártó: VISHAY IR
Végfelhasználó-magánszemély részére megjelenített árak, ÁFA nélkül értendők. A feltüntetett árat csak a raktáron lévő mennyiségre garantáljuk.
Megrendelem: db 0,00 Ft

IRFPE 40 PBF
Tranzisztor MOSFET N-csat. 5,4A/800V TO247

A kép csak illusztráció, kérem tekintse meg a termék pontos műszaki leírását.

Rakt. szám: 5742
Min.rendelés: 1 db
Többszörös: 1 db (1, 2, 3 ... db)
Termékbesorolás: Unipoláris teljesítmény tranzisztorok
Árufajta: Megrendelésre
Gyártó: VISHAY IR

Végfelhasználó-magánszemély részére megjelenített árak, ÁFA nélkül értendők. A feltüntetett árat csak a raktáron lévő mennyiségre garantáljuk.

Megrendelem: db 0,00 Ft

Műszaki adatok

Gyártó VISHAY IR
Típus Power
Polarity MOSFET N
Power 150 W
Case TO247AC
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Gate-Source Breakdown Voltage -20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm / 3,2A / 10V
Continuous Drain Current 5,4A
On/Off Time (Max) 16ns/100ns
On Resistance Max. 2 Ohm
Operating Voltage 800 V
Kimeneti áram 5,4 A
Megjegyzés -
Sorozat -
MSL -
RoHS Igen

Letölthető dokumentumok

Nincs letölthető dokumentum
Egyetért a sütik tárolásával?
Üdvözöljük az SOS electronic weboldalán. Mielőtt belépne online világunkba, szeretnénk megkérni, hogy engedélyezze, hogy sütiket (cookie) tároljunk böngészőjében. Hozzájárulása segít abban, hogy hibamentesen nézhesse meg oldalunkat, mérjük annak teljesítményét és egyéb statisztikákat készíthessünk. Mindemellett termékeinket és szolgáltatásainkat szó szerint személyre szabottan tudjuk így kínálni. Harmadik felek számára is biztosítunk sütiket. Nálunk azonban biztonságban érezheti magát.
A weboldal megfelelő működése
Stabilabb műszaki ellenőrzés
Jobb marketing ajánlat

Bővebben a sütikről
Bővebben a személyes adatok kezeléséről