A kép csak illusztráció, kérem tekintse meg a termék pontos műszaki leírását.

IRFD 110 PBF | VISHAY IR

Tranzisztor MOSFET N-csat. 1A/100V DIP4
Rakt. szám: 40823
Raktáron 17 db
Min.rendelés: 5 db
Többszörös: 1 db (5, 6, 7 ... db)
Termékbesorolás: Unipoláris teljesítmény tranzisztorok
Árufajta: Raktártípus
Gyártó: VISHAY IR
5 db-tól 145,00 Ft
10 db-tól 121,00 Ft
50 db-tól 107,00 Ft
200 db-tól 99,30 Ft
1200 db-tól 89,50 Ft
Jobb árat szeretne?
Gyártóknak és viszonteladóknak egyedi kedvezményt biztosítunk.
Végfelhasználó-magánszemély részére megjelenített árak, ÁFA nélkül értendők. A feltüntetett árat csak a raktáron lévő mennyiségre garantáljuk.
Megrendelem: db -
IRFD 110 PBF
Tranzisztor MOSFET N-csat. 1A/100V DIP4

A kép csak illusztráció, kérem tekintse meg a termék pontos műszaki leírását.

Rakt. szám: 40823
Raktáron 17 db
Min.rendelés: 5 db
Többszörös: 1 db (5, 6, 7 ... db)
Termékbesorolás: Unipoláris teljesítmény tranzisztorok
Árufajta: Raktártípus
Gyártó: VISHAY IR
5 db-tól 145,00 Ft
10 db-tól 121,00 Ft
50 db-tól 107,00 Ft
200 db-tól 99,30 Ft
1200 db-tól 89,50 Ft
Jobb árat szeretne?
Gyártóknak és viszonteladóknak egyedi kedvezményt biztosítunk.

Végfelhasználó-magánszemély részére megjelenített árak, ÁFA nélkül értendők. A feltüntetett árat csak a raktáron lévő mennyiségre garantáljuk.

Megrendelem: db -

Műszaki adatok

Gyártó VISHAY IR
Típus Power
Polarity MOSFET N
Power 1,3 W
Case DIP4
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 0,6A / 10V
Continuous Drain Current 1A
On/Off Time (Max) 7ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Kimeneti áram 1 A
Megjegyzés n/a
Sorozat n/a
RoHS Igen

Letölthető dokumentumok

Letölthető adatlap:
A cookie-k segítenek szolgáltatásaink nyújtásában, melyek igénybevételével Ön beleegyezik a cookie-k használatába.