Üdvözöljük a 3D FLASH memóriák világában

Az Apacer BiCS3 TLC NAND gyártmányú Toshiba chipeket használ, amelyek 3 000 írási ciklust biztosítanak. A 3D NAND TLC termékekre ugyanaz a garancia vonatkozik, mint a 2D NAND MLC alapú termékekre; azaz 2 év, vagy az az időtartam, amíg az SSD meghaladja a 3 000-es törlési mennyiséget, amit az Apacer SMART szoftverrel jelez.

A 2D FLASH technológia elérte a gyártási határértékeket

Az Apacer jelenlegi, 2D MLC FLASH memórián alapuló SSD-generációja 15nm-es eljárással készül. A lebegőkapun (FG-floating gate) tárolható elektronok alacsony száma és a szomszédos memóriacellák növekvő interferenciája megakadályozza a kapacitás növelését a gyártási folyamat geometriájának csökkentése révén.

A memóriacellák méretének csökkentésével a lebegőkapu (FG) szintén csökken az x tengely irányában. A kapu változatlan vastagsága által a kapun tárolható elektronok száma csökken, ezért a kapu vastagságát növelni kell. Azonban, ahogy a sejtek közelebb kerülnek egymáshoz, az egyes sejtek FG-jei közötti kapacitás megnő, ezáltal növelve kölcsönhatásukat.

Az interferencia minimalizálása érdekében a gyártók megváltoztatták a vezérlő kapu (CG – control gate) alakját „fedőre”az FG körül. Így a CG és az FG közötti kapacitás megnövekedett, míg a szomszédos FG-k kapacitása csökkent. A sejtek közötti távolság már nem csökkenthető, mivel a CG-nek már nem lenne elég hely.

A 2D NAND hamarosan eltűnik a piacról?

A válasz NEM. A 3D NAND FLASH technológia a 2D MLC-hez viszonyítva a 32GB vagy nagyobb kapacitású változatok esetében költséghatékonyabb. A 2D NAND MLC és SLC alapú termékek továbbra is elérhetők lesznek az alacsony költségű (MLC) vagy maximálisan megbízható (SLC) adattárolást igénylő beágyazott eszközök számára.

3D NAND FLASH

A technológia elve a következő ábrán látható.

Az alábbi ábra részletesen szemlélteti a BiCS NAND FLASH technológiát.

3D NAND FLASH jelemzők

Nagyobb memória-kapacitás ugyanazon chipterületen.

A 15 nm-es 2D MLC FLASH technológia lehetővé teszi a 128GB/chip, a BiCS3 3D TLC NAND 512Gb/chip kapacitást.

Gyorsabb programozás, nagyobb megbízhatóság, kisebb energiafogyasztás

A memóriacellák közötti hézagok szélesebbek, így a szomszédos cellák közötti interferencia csökken. Ugyanakkor ez lehetővé teszi a 3D MLC /TLC sejtek egyszeri programozását. A 2D MLC sejteket két lépésben programozzák. A programozás során az egyik lépés eltávolítása csökkenti a hibaarányt (BER), mindemellett csökken az energiafogyasztás is.

A 3D FLASH memórián alapuló Apacer termékekről folyamatosan tájékoztatjuk Önöket honlapunkon. Érdeklődés esetén kérjük, vegyék fel velünk a kapcsolatot az apacer@soselectronic.com címen.